近日，我院吴卫华老师与中山大学赖天树教授、王自鑫教授以《Design of Four-level Phase-Change memory Ge2Sb2Te5/Ge50Te50 Bilayer Films and Study of their Crystallization Behaviors》为题在国际著名学术期刊《Chemical Engineering Journal》（中科院1区TOP期刊，影响因子13.4）发表最新研究成果，硕士生顾晗为第二作者，吴卫华为第一通讯作者。
论文构建了Ge2Sb2Te5/Ge50Te50双层相变薄膜，研究了不同厚度比Ge2Sb2Te5/Ge50Te50薄膜的相变行为，揭示了四态存储分别缘于Ge2Sb2Te5从非晶态向FCC相结构转变、Ge50Te50从非晶态向晶态转变以及Ge2Sb2Te5从FCC相向HEX相结构转变。研究所提出的多态存储设计规则对于推动高密度信息存储和神经突触器件研究具有重要的指导意义。
原文链接：https://doi.org/10.1016/j.cej.2025.163638